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來源: 發(fā)布時間:2025-08-01

中清航科原子層精切技術:采用氬離子束定位轟擊(束斑直徑2nm),實現(xiàn)石墨烯晶圓無損傷分離。邊緣鋸齒度<5nm,電導率波動控制在±0.5%,滿足量子芯片基材需求。中清航科SmartCool系統(tǒng)通過在線粘度計與pH傳感器,實時調整冷卻液濃度(精度±0.1%)。延長刀具壽命40%,減少化學品消耗30%,單線年省成本$12萬。中清航科開發(fā)振動指紋庫:采集設備運行特征頻譜,AI定位振動源(如電機偏心/軸承磨損)。主動抑制系統(tǒng)將振動能量降低20dB,切割線寬波動<±0.5μm。


12英寸晶圓切割中清航科解決方案突破產能瓶頸,良率99.3%。嘉興藍寶石晶圓切割藍膜

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在晶圓切割設備的自動化升級浪潮中,中清航科走在行業(yè)前列。其新推出的智能切割單元,可與前端光刻設備、后端封裝設備實現(xiàn)無縫對接,通過 SECS/GEM 協(xié)議完成數(shù)據(jù)交互,實現(xiàn)半導體生產全流程的自動化閉環(huán)。該單元還具備自我診斷功能,能提前預警潛在故障,將非計劃停機時間減少 60%,為大規(guī)模生產提供堅實保障。對于小尺寸晶圓的切割,傳統(tǒng)設備往往面臨定位難、效率低的問題。中清航科專門設計了針對 2-6 英寸小晶圓的切割工作站,采用多工位旋轉工作臺,可同時處理 8 片小晶圓,切割效率較單工位設備提升 4 倍。配合特制的彈性吸盤,能有效避免小晶圓吸附時的損傷,特別適合 MEMS 傳感器、射頻芯片等小批量高精度產品的生產。溫州碳化硅線晶圓切割代工廠切割冷卻液在線凈化裝置中清航科研發(fā),雜質濃度自動控制<1ppm。

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磷化銦(InP)光子晶圓易產生邊緣散射損耗。中清航科采用等離子體刻蝕輔助裂片技術,切割面垂直度達89.5°±0.2°,側壁粗糙度Ra<20nm,插入損耗降低至0.15dB/cm。中清航科SkyEye系統(tǒng)通過5G實時回傳設備運行數(shù)據(jù)(振動/電流/溫度),AI引擎15分鐘內定位故障根因。遠程AR指導維修,MTTR(平均修復時間)縮短至45分鐘,服務覆蓋全球36國?;谖^(qū)X射線衍射技術,中清航科繪制切割道殘余應力三維分布圖(分辨率10μm),提供量化改進方案??蛻粜酒瑹嵫h(huán)壽命提升至5000次(+300%),滿足車規(guī)級AEC-Q104認證。

針對晶圓切割后的表面清潔度要求,中清航科在設備中集成了在線等離子清洗模塊。切割完成后立即對晶圓表面進行等離子處理,去除殘留的切割碎屑與有機污染物,清潔度達到 Class 10 標準。該模塊可與切割流程無縫銜接,減少晶圓轉移過程中的二次污染風險。中清航科注重晶圓切割設備的人性化設計,操作界面采用直觀的圖形化布局,支持多語言切換與自定義快捷鍵設置。設備配備可調節(jié)高度的操作面板與符合人體工學的扶手設計,減少操作人員長時間工作的疲勞感,同時提供聲光報警與故障提示,使操作更便捷高效。中清航科聯(lián)合高校成立切割技術研究院,突破納米級切割瓶頸。

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中清航科設備搭載AI參數(shù)推薦引擎,通過分析晶圓MAP圖自動匹配切割速度、進給量及冷卻流量。機器學習模型基于10萬+案例庫持續(xù)優(yōu)化,將工藝調試時間從48小時縮短至2小時,快速響應客戶多品種、小批量需求。SiC材料硬度高、脆性大,傳統(tǒng)切割良率不足80%。中清航科采用激光誘導劈裂技術(LIPS),通過精確控制激光熱影響區(qū)引發(fā)材料沿晶向解理,切割速度達200mm/s,崩邊<10μm,滿足新能源汽車功率器件嚴苛標準。中清航科提供從晶圓貼膜、切割到清洗的全流程自動化方案。機械手聯(lián)動精度±5μm,兼容SECS/GEM協(xié)議實現(xiàn)MES系統(tǒng)對接。模塊化設計支持產能彈性擴展,單線UPH(每小時產能)提升至120片,人力成本降低70%。中清航科推出晶圓切割應力補償算法,翹曲晶圓良率提升至98.5%。衢州藍寶石晶圓切割刀片

晶圓切割后清洗設備中清航科專利設計,殘留顆粒<5個/片。嘉興藍寶石晶圓切割藍膜

為滿足汽車電子追溯要求,中清航科在切割機集成區(qū)塊鏈模塊。每片晶圓生成單獨工藝參數(shù)數(shù)字指紋(含切割速度、溫度、振動數(shù)據(jù)),直通客戶MES系統(tǒng),實現(xiàn)零缺陷溯源。面向下一代功率器件,中清航科開發(fā)等離子體輔助切割(PAC)。利用微波激發(fā)氧等離子體軟化切割區(qū)材料,同步機械分離,切割效率較傳統(tǒng)方案提升5倍,成本降低60%。邊緣失效區(qū)(Edge Exclusion Zone)浪費高達3%晶圓面積。中清航科高精度邊緣定位系統(tǒng)通過AI識別有效電路邊界,定制化切除輪廓,使8英寸晶圓可用面積增加2.1%,年省材料成本數(shù)百萬。


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