整個溫度范圍容量很穩(wěn)定，溫度也是-55~125度，適用于振蕩器，超高頻濾波去耦，但容量一般做不大，幾千個pF吧。陶瓷電容器又分為高頻瓷介電容器和低頻瓷介電容器兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩電路中，作為回路電容器。低頻瓷介電容器用在對穩(wěn)定性和損耗要求不高的場合或工作頻率較低的回路中起旁路或隔直流作用，它易被脈沖電壓擊穿，故不能使用在脈沖電路中。高頻瓷介電容器適用于高頻電路。陶瓷電容器的溫度特性應(yīng)用陶瓷電容器首先要注意的就是其溫度特性；不同材料的陶瓷介質(zhì)，其溫度特性有極大的差異。第yi類陶瓷介質(zhì)電容器的溫度性質(zhì)根據(jù)美國標(biāo)準(zhǔn)EIA-198-D，在用字母或數(shù)字表示陶瓷電容器的溫度性質(zhì)有三部分：第yi部分為（例如字母C）溫度系數(shù)α的有效數(shù)字；第二位部分有效數(shù)字的倍乘（如0即為100）；第三部分為隨溫度變化的容差（以ppm/℃表示）。這三部分的字母與數(shù)字所表達(dá)的意義如表。哪家的陶瓷電容器的價格低？上海陶瓷電容器高壓取電用

    尤其是在一些脈沖比較強(qiáng)的電路中是不能使用低頻瓷片電容的，否則很有可能會被電壓直接擊穿。二者的差異比較二者不同類型的瓷片電容規(guī)格識別可以直接通過電容器或者是電路來進(jìn)行判斷。一般來說可以耐受高壓，絕緣性比較好，而且比較可靠，運(yùn)用于高壓電路中的就屬于高頻瓷片電容。而低頻瓷片電容相比較而言可靠性以及成本都比較低，多數(shù)時候都是運(yùn)用于一些低頻電路以及耦合電路等的電容器中?？焖僮R別方法一般來說在音頻控制器以及分頻器上使用的電容都是高頻瓷片電容，因為其容量會比較大，通過金屬塑料薄膜的使用可以獲得更佳的音質(zhì)。其次就是在濾波電容中，其容量的特性決定了使用電解電容的效果會比較好，但在使用的過程中還要注意yi制高頻阻抗不斷上升的情況。瓷片電容規(guī)格表瓷片電容規(guī)格表一：瓷片電容規(guī)格表二：四、瓷片電容的讀數(shù)方法瓷片電容的讀數(shù)方法和電阻的讀數(shù)方法基本相同，分色標(biāo)法、數(shù)標(biāo)法和直標(biāo)法3種。瓷片電容的基本單位用法拉（F）表示，其它單位還有：毫法（mF）、微法（μF）、納法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=1000毫法（mF），1毫法=1000微法（μF），1微法=1000納法（nF），1納法=1000皮法（pF）。容量大的瓷片電容其容量值在電容上直接標(biāo)明。南通高壓取能陶瓷電容器陶瓷電容器質(zhì)量好的陶瓷電容器的找誰好？

    也就是說10μF的電容量在額定電壓時僅為不到μF！在高溫時由于電容量已經(jīng)下降到很低，所以這時的電容量隨直流偏置電壓的變化不大。X7R介質(zhì)電容器的電容量隨直流偏置電壓變化雖比較大，但是比Y5V好得多。陶瓷電容器所允許加載的交流電壓與電流同頻率的關(guān)系主要受電容器的ESR影響；相對而言，C0G的ESR比較低，故可以承受比較大的電流，相應(yīng)的所允許施加的交流電壓相對比較大；X7R、X5R、Y5V、Z5U則ESR相對比較大，可承受比C0G要小，與此同時，由于電容量遠(yuǎn)大于C0G，故所施加的電壓將遠(yuǎn)小于C0G。第yi類介質(zhì)電容器的允許電壓、電流與頻率的關(guān)系第yi類介質(zhì)電容器的允許電壓、電流與頻率的解讀當(dāng)加載頻率相對較低時，即使加載交流電壓為額定交流電壓時，流過電容器的電流低于額定電流時，電容器允許加載額定交流電壓，即左圖的平直部分；當(dāng)加載頻率升高到即使加載電壓沒有達(dá)到交流額定電壓時的電容器中流過的交流電流已達(dá)到額定電流值，這是需要降低電容器的加載交流電壓，以保證流過電容器的電流不超過額定電流值，即左圖的曲線開始下降部分；而加載頻率繼續(xù)上升，電容器的損耗因數(shù)而導(dǎo)致的發(fā)熱則成為電容器的加載電壓的主要限制因素，這是加載電壓將隨頻率的上升而急劇下降。

    是數(shù)字0，不是字母O，有些文獻(xiàn)筆誤為NPO）以及我國標(biāo)準(zhǔn)的CC系列等型號的陶瓷介質(zhì)（溫度系數(shù)為0±30PPM/℃），這種介質(zhì)極其穩(wěn)定，溫度系數(shù)極低，而且不會出現(xiàn)老化現(xiàn)象，損耗因數(shù)不受電壓、頻率、溫度和時間的影響，介電系數(shù)可以達(dá)到400，介電強(qiáng)度相對高。這種介質(zhì)非常適用于高頻（特別是工業(yè)高頻感應(yīng)加熱的高頻功率振蕩、高頻無線發(fā)射等應(yīng)用的高頻功率電容器）、超高頻和對電容量、穩(wěn)定性有嚴(yán)格要求定時、振蕩電路的工作環(huán)境，這種介質(zhì)電容器wei一的缺點(diǎn)是電容量不能做得很大（由于介電系數(shù)相對?。ǔ?206表面貼裝C0G介質(zhì)電容器的電容量從μF。Ⅱ類陶瓷電容器Ⅱ類的穩(wěn)定級陶瓷介質(zhì)材料如美國電工協(xié)會（EIA）標(biāo)準(zhǔn)的X7R、X5R以及我國標(biāo)準(zhǔn)的CT系列等型號的陶瓷介質(zhì)（溫度系數(shù)為±），這種介質(zhì)的介電系數(shù)隨溫度變化較大，不適用于定時、振蕩等對溫度系數(shù)要求高的場合，但由于其介電系數(shù)可以做得很大（可以達(dá)到1200），因而電容量可以做得比較大，適用于對工作環(huán)境溫度要求較高（X7R：-55~+125℃）的耦合、旁路和濾波。通常1206的SMD封裝的電容量可以達(dá)到10μF或在再高一些；II類的可用級陶瓷介質(zhì)材料如美國電工協(xié)會?，F(xiàn)貨銷售Y1Y2陶瓷電容器。

    X7R表示為：第yi位X為zui低工作溫度-55℃，第二位的數(shù)字7位zui高工作溫度+125℃，第三位字母R為隨溫度變化的容值偏差±15%；X5R表示為：第yi位X為zui低工作溫度-55℃，第二位的數(shù)字5位zui高工作溫度+85℃，第三位字母R為隨溫度變化的容值偏差±15%；Y5V表示為：第yi位Y為zui低工作溫度-30℃，第二位的數(shù)字5位zui高工作溫度+85℃，第三位字母V為隨溫度變化的容值偏差+22%，-82%±15%。Z5U表示為：第yi位Z為zui低工作溫度+10℃，第二位的數(shù)字5位zui高工作溫度+85℃，第三位字母U為隨溫度變化的容值偏差+22%，-56%。陶瓷電容器的阻抗頻率特性第yi類介質(zhì)的陶瓷電容器的ESR隨頻率而上升，如圖陶瓷電容器的ESR頻率特性第yi類介質(zhì)的陶瓷電容器阻抗頻率特性第二類陶瓷電容器的阻抗頻率特性陶瓷電容器的損耗因數(shù)與頻率的關(guān)系陶瓷電容器的阻抗頻率特性陶瓷電容器的絕緣電阻與溫度的關(guān)系損耗因數(shù)與溫度的關(guān)系電容量與直流偏置電壓的關(guān)系第yi類介質(zhì)電容器的電容量與直流偏置電壓無關(guān)。第二類介質(zhì)電容器的電容量隨直流偏置電壓變化，如圖。Y5V介質(zhì)電容器的電容量隨直流偏置電壓變化非常大，從無偏置時的全部電容量下降到額定電壓下的直流偏置電壓時得不到額定電容量的25%。使用陶瓷電容器的需要什么條件。貴州陶瓷電容器售后保障

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