a）是單純把構成DC-DC轉換器輸出平滑電路的電容器由鉭電解電容器更換成片狀多層陶瓷電容器后的輸出電壓波形。波形出現(xiàn)了異常振蕩，DC-DC轉換器的輸出電壓也隨之大幅變化。圖2（b）是對反饋環(huán)路相位補償電路的常數(shù)進行調整后的波形。波形的異常振蕩得到了yi制，輸出電壓降到了不會產生負面影響的水平。實際使用中如果達到了這種輸出電壓波形，就可放心使用。圖2：異常振蕩時和正常工作時的輸出電壓波形（a）為出現(xiàn)異常振蕩時的輸出電壓波形。（b）為正常工作時的輸出電壓波形。通過調整反饋環(huán)路相位補償電路的常數(shù)，能夠防止異常振蕩。一般來說，DC-DC轉換器反饋環(huán)路響應特性的相位裕度*好確保45度以上。若想滿足這一要求，必須調整相位補償電路的常數(shù)。不過*近，通過在DC-DC轉換器IC一側進行改進，出現(xiàn)了不少即使直接利用ESR較低的片狀多層陶瓷電容器也不會出現(xiàn)異常振蕩等問題的產品。選擇DC-DC轉換器IC時，請確認其數(shù)據(jù)表（DataSheet）等。如果注明有“使用片狀多層陶瓷電容器也能穩(wěn)定工作”字樣，便可以放心使用。反之，如果沒有注明，則需要采取上述的對策。如何正確使用陶瓷電容器的。常州超高壓陶瓷電容器陶瓷電容器

    高壓瓷片電容器的絕緣電阻高壓瓷片電容器的絕緣電阻取決于介質材料配方、工藝過程（燒結）和測量時的溫度。所有介質的絕緣電阻都會隨溫度的提高而下降，在低溫（-55℃）到高溫（125℃）的MIL溫度特性范圍內可以觀察到一個非常大的下降過程。測量瓷片電容器絕緣電阻的時需要重點考慮絕緣電阻與電容量的關系。電容量值與絕緣電阻成反比，即電容量越高，絕緣電阻越低。這是因為電容量與漏電流大小是相互成正比的，可以用歐姆定律和比體積電容關系加以說明。歐姆定律表述了導體中電流（I），電壓（V）和電阻（R）之間的關系：I=V/R但是，電阻（R）是一個與尺寸有關的物理量，也與材料本征的電阻率有關，如下所示：R=ρL/A這里L=導體長度A=導體橫截面積。因此電流（I）可以表示為：I=VA/ρL高壓瓷片電容器中通過絕緣體的漏電流（i）也可用上述關系式表示：I=VA’/ρt，這里V=測試電壓A’=有效電極面積ρ=介質電阻率t=介質層厚度從上面關系式可以看到，對于給定的測試電壓，漏電流大小正比于電容器有效電極面積，反比于介質層厚度（和電阻率），即：i∝A’/t類似地，電容量（C）正比于有效電極面積，反比于介質層厚度，即：C=KA’/。常州超高壓陶瓷電容器陶瓷電容器哪家的陶瓷電容器價格比較低？

    高壓瓷片電容器有幾百伏的，有幾千伏的，一般在容值下面標出XXKV。電容的容量標識的幾種方法：一、直接標識：如其電解電容，容量47uf，電容耐壓25v。二、使用單位nf：如上圖的滌綸電容，標稱4n7，即，轉換為pf即為4700pf。還有的例如：10n，即，即。后面的63是指電容耐壓63v。三、數(shù)學計數(shù)法：如瓷介電容，標值104，容量就是：10X10000pf=，即為47X1000pf=。（后面的4、3，都表示10的多少次方）。又如：332=33X100pf=3300pf。電容的使用，都應該在指定的耐壓下工作?，F(xiàn)在的好多質量不高的產品，就因為使用了耐壓不足的電容而引起故障（常見電容爆裂）。電容識別：1、電容在電路中一般用“C”加數(shù)字表示（如C13表示編號為13的電容）。電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開而組成的元件。電容的特性主要是隔直流通交流。電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小，電容對交流信號的阻礙作用稱為容抗，它與交流信號的頻率和電容量有關。容抗XC=1/2πfc（f表示交流信號的頻率，C表示電容容量）電話機中常用電容的種類有電解電容、瓷片電容、貼片電容、獨石電容、鉭電容和滌綸電容等。2、電容識別方法：電容的識別方法與電阻的識別方法基本相同。

    超高儲能密度無鉛多層陶瓷電容器陶瓷基多層電容器具有高能量功率和極速的充放電速率，廣泛應用于醫(yī)療、交通和脈沖功率器件等領域。相對于聚合物或玻璃基儲能電解質材料，盡管陶瓷基電容器擁有較好的溫度穩(wěn)定性和高極化強度等優(yōu)勢，但目前面臨的主要問題是低能量轉換效率以及低材料擊穿場強而導致較低的能量儲存密度。近些年來，針對無鉛反鐵電或鐵電陶瓷基材料，科學家們通過摻雜或者固溶的方法，努力在盡可能較少降低極化強度的同時，極大提高能量轉換效率和擊穿場強。但和聚合物基儲能材料相比，過低的材料本征擊穿場強極大限制了陶瓷基電介質儲存電能的能力。因此，在保持高極化強度和充放電速率的同時，能否控制并提高陶瓷基材料本征的擊穿場強，成為是否能獲得高儲能密度陶瓷基材料的關鍵。英國謝菲爾德大學的王大偉博士和IanMReaney教授課題組針對上述問題，巧妙運用三元固溶，控制電性能的均勻性，制備出一種化學性能不均勻但電性能均勻且阻抗高的高儲能密度陶瓷，并且更進一步利用流延機等設備制備出多層陶瓷電容器。該課題通過在BiFeO3-BaTiO3(BF-BT)陶瓷中固溶第三元Nd()O3(NZZ)達到鐵電材料向弛豫性鐵電材料相結構的轉變。蘇州質量好的陶瓷電容器的機構。

陶瓷電容的結構和主要加工環(huán)節(jié)

如下面圖的瓷片電容的結構，內電極導體一般為Ag或AgPd，陶瓷介質一般為BaTiO3， 多層陶瓷結構通過高溫燒結而成。器件端頭鍍層（外電極）一般為燒結Ag/AgPd，然后制備一層Ni阻擋層(以阻擋內部Ag/AgPd材料，防止其和外部Sn發(fā)生反應)，再在Ni層上制備Sn或SnPb層用以焊接。近年來，也出現(xiàn)了端頭使用Cu的MLCC產品。

下面簡單介紹一下陶瓷電容的主要加工環(huán)節(jié)：

a） 備料成型：原料經過煅燒、粉碎與混和后，達到一定的顆粒細度，原則上顆粒越細越好。然后根據(jù)電容器結構形狀，進行陶瓷介質坯件成型；

b） 燒成：對瓷坯進行高溫處理，是其成為具有高機械強度、優(yōu)良電氣性能的瓷體。燒成溫度一般在1300℃以上。高溫保持時間過短，固相反應不完全徹底，影響整個坯體結構，造成電性能惡化，是所謂“生燒”；高溫保持時間過長，使坯體起泡變形以及晶粒變大，同樣惡化電性能，造成“過燒”；

c） 然后是電極制造，引線焊接，涂覆，包封；

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    因此也稱鐵電陶瓷電容器。這類電容器的比電容大，電容量隨溫度呈非線性變化，損耗較大，常在電子設備中用于旁路、耦合或用于其它對損耗和電容量穩(wěn)定性要求不高的電路中。Ⅰ類陶瓷電容器按美國電工協(xié)會（EIA）標準為C0G（是數(shù)字0，不是字母O，有些文獻筆誤為COG）或NP0（是數(shù)字0，不是字母O，有些文獻筆誤為NPO）以及我國標準的CC系列等型號的陶瓷介質（溫度系數(shù)為0±30PPM/℃），這種介質極其穩(wěn)定，溫度系數(shù)極低，而且不會出現(xiàn)老化現(xiàn)象，損耗因數(shù)不受電壓、頻率、溫度和時間的影響，介電系數(shù)可以達到400，介電強度相對高。這種介質非常適用于高頻（特別是工業(yè)高頻感應加熱的高頻功率振蕩、高頻無線發(fā)射等應用的高頻功率電容器）、超高頻和對電容量、穩(wěn)定性有嚴格要求定時、振蕩電路的工作環(huán)境，這種介質電容器wei一的缺點是電容量不能做得很大（由于介電系數(shù)相對?。ǔ?206表面貼裝C0G介質電容器的電容量從μF。Ⅱ類陶瓷電容器Ⅱ類的穩(wěn)定級陶瓷介質材料如美國電工協(xié)會（EIA）標準的X7R、X5R以及我國標準的CT系列等型號的陶瓷介質（溫度系數(shù)為±），這種介質的介電系數(shù)隨溫度變化較大，不適用于定時、振蕩等對溫度系數(shù)要求高的場合，但由于其介電系數(shù)可以做得很大。常州超高壓陶瓷電容器陶瓷電容器

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