國內外研制成功的高壓陶瓷電容器已經廣fan應用于電力系統(tǒng)、激光電源、磁帶錄像機、彩電、電子顯微鏡、復印機、辦公自動化設備、宇航、導彈、航海等方面。高壓陶瓷電容器的瓷料主要有鈦酸鋇基和鈦酸鍶基兩大類。鈦酸鋇基陶瓷材料具有介電系數(shù)高、交流耐壓特性較好的優(yōu)點，但也有電容變化率隨介質溫度升高、絕緣電阻下降等缺點。鈦酸鍶晶體的居里溫度為-250℃，在常溫下為立方晶系鈣鈦礦結構，是順電體，不存在自發(fā)極化現(xiàn)象，在高電壓下鈦酸鍶基陶瓷材料的介電系數(shù)變化小，tgδ及電容變化率小，這些優(yōu)點使其作為高壓電容器介質是十分有利的。（二）制造工藝要點（1）原料要精選影響高壓陶瓷電容器質量的因素，除瓷料組成外，優(yōu)化工藝制造、嚴格工藝條件是非常重要的。因此，對原料既要考慮成本又要注意純度，選擇工業(yè)純原料時，必須注意原料的適用性。（2）熔塊的制備熔塊的制備質量對瓷料的球磨細度和燒成有很大的影響，如熔塊合成溫度偏低，則合成不充分。對后續(xù)工藝不利。如合成料中殘存Ca2+，會阻礙軋膜工藝的進行：如合成溫度偏高，使熔塊過硬，會影響球磨效率：研磨介質的雜質引入，會降低粉料活性，導致瓷件燒成溫度提高。（3）成型工藝成型時要防止厚度方向壓力不均。蘇州哪家機構的陶瓷電容器的口碑比較好？天津陶瓷電容器品質保障

    第三位字母R為隨溫度變化的容值偏差±15%；Y5V表示為：第yi位Y為比較低工作溫度-30℃，第二位的數(shù)字5位比較高工作溫度+85℃，第三位字母V為隨溫度變化的容值偏差+22%，-82%±15%。Z5U表示為：第yi位Z為比較低工作溫度+10℃，第二位的數(shù)字5位比較高工作溫度+85℃，第三位字母U為隨溫度變化的容值偏差+22%，-56%，陶瓷電容器的阻抗頻率特性第yi類介質的陶瓷電容器的ESR隨頻率而上升，如圖陶瓷電容器的ESR頻率特性第yi類介質的陶瓷電容器阻抗頻率特性第二類陶瓷電容器的阻抗頻率特性陶瓷電容器的損耗因數(shù)與頻率的關系陶瓷電容器的阻抗頻率特性陶瓷電容器的絕緣電阻與溫度的關系損耗因數(shù)與溫度的關系電容量與直流偏置電壓的關系第yi類介質電容器的電容量與直流偏置電壓無關。第二類介質電容器的電容量隨直流偏置電壓變化，如圖。Y5V介質電容器的電容量隨直流偏置電壓變化非常大，從無偏置時的全部電容量下降到額定電壓下的直流偏置電壓時得不到額定電容量的25%，也就是說10μF的電容量在額定電壓時僅為不到μF！在高溫時由于電容量已經下降到很低，所以這時的電容量隨直流偏置電壓的變化不大。X7R介質電容器的電容量隨直流偏置電壓變化雖比較大，但是比Y5V好得多。天津陶瓷電容器品質保障蘇州哪家機構的陶瓷電容器的價格比較劃算？

陶瓷電容分類：

一般販售的陶瓷電容可分為以下三類：

Class 1 陶瓷電容：有溫度補償，電容值準確的電容器。在不同的電壓、溫度下的穩(wěn)定性比較好，且其損失zui少。但是其容積效率也比較低。典型Class 1電容的溫度系數(shù)為30 ppm/°C，而且對溫度的線性度很高，Class 1 陶瓷電容的散逸因數(shù)約為0.15%，因此適用在高品質因子的濾波器中。一般Class 1電容的電容誤差約為5%至10%，也可以找到高準確度，誤差只有1%的電容器。比較高準確度的Class 1電容其標示為C0G或NP0。Class 2 陶瓷電容：其容積效率較Class 1電容要好，但其電容準確度及穩(wěn)定性較差。一般的Class 2電容在?55°C至85°C的溫度范圍內，電容量誤差值會在15%以內。

Class 2電容的散逸因數(shù)約為2.5%。Class 3 陶瓷電容：其容積效率更好，但其電容準確度及穩(wěn)定性也更差。一般的Class 3電容在10°C至55°C的溫度范圍內，電容量會有-22%至+56%的變化。

Class 3電容的散逸因數(shù)約為4%。一般Class 3電容會用在去耦電容及其他電源供應器的應用中。

    個人收藏查詢我的個人收藏0有效+1已網絡投票0瓷片電容編寫鎖住探討本百度詞條由“科普中國”科學研究百度百科詞條撰寫與運用工作項目審批。瓷片電容(ceramiccapacitor)是一種用結構陶瓷作物質，在瓷器表層涂敷一層金屬材料塑料薄膜，再經高溫煅燒后做為電級而成的電容器。一般用以高平穩(wěn)震蕩回路中，做為回路、旁通電容器及墊整電容器。中文名字瓷片電容英語名ceramiccapacitor介質結構陶瓷作物質應用高平穩(wěn)震蕩回路中作用回路、旁通電容器及墊整電容器分類高頻率瓷介和低頻瓷介二種文件目錄1歸類2優(yōu)點和缺點3功效4高壓5鑒別瓷片電容歸類編寫瓷片電容分高頻率瓷介和低頻瓷介二種。具備小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用以高平穩(wěn)震蕩回路中，做為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器jin限于在輸出功率較低的回路中作旁通或隔直流電用，或對可靠性和耗損規(guī)定不太高的場所〈包含高頻率以內〉。這類電容器不適合應用在單脈沖電源電路中，由于他們便于被單脈沖工作電壓穿透。按瓷介電容電解介質又分：1.類電解介質(NP0,C0G)；2.類電解介質(X7R,2X1)；3.類電解介質(Y9V,2F4)瓷介電容器EIARS-198。[1]瓷片電容優(yōu)點和缺點編寫優(yōu)勢：平穩(wěn)，介電強度好?，F(xiàn)貨供應HJK高壓陶瓷電容器。

    EIA）標準的Z5U、Y5V以及我國標準的CT系列的低檔產品型號等陶瓷介質（溫度系數(shù)為Z5U的+22%，-56%和Y5V的+22%，-82%），這種介質的介電系數(shù)隨溫度變化較大，不適用于定時、振蕩等對溫度系數(shù)要求高的場合，但由于其介電系數(shù)可以做得很大（可以達到1000~12000），因而電容量可以做得比更大，適用于一般工作環(huán)境溫度要求（-25~+85℃）的耦合、旁路和濾波。通常1206表面貼裝Z5U、Y5V介質電容器量甚至可以達到100μF，在某種意義上是取代鉭電解電容器的有力競爭對手。陶瓷電容器的溫度特性應用陶瓷電容器首先要注意的就是其溫度特性；不同材料的陶瓷介質，其溫度特性有極大的差異。第yi類陶瓷介質電容器的溫度性質根據美國標準EIA-198-D，在用字母或數(shù)字表示陶瓷電容器的溫度性質有三部分：第yi部分為（例如字母C）溫度系數(shù)α的有效數(shù)字；第二位部分有效數(shù)字的倍乘（如0即為100）；第三部分為隨溫度變化的容差（以ppm/℃表示）。這三部分的字母與數(shù)字所表達的意義如表。例如，C0G（有時也稱為NP0）表示為：第yi位字母C為溫度系數(shù)的有效數(shù)字為0，第二位數(shù)字0為有效溫度系數(shù)的倍乘為100=1，第三位字母G為隨溫度變化的容差為±30ppm/℃，即0±30ppm/℃。蘇州質量好的陶瓷電容器的機構。陜西陶瓷電容器高壓取能用

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    是數(shù)字0，不是字母O，有些文獻筆誤為NPO）以及我國標準的CC系列等型號的陶瓷介質（溫度系數(shù)為0±30PPM/℃），這種介質極其穩(wěn)定，溫度系數(shù)極低，而且不會出現(xiàn)老化現(xiàn)象，損耗因數(shù)不受電壓、頻率、溫度和時間的影響，介電系數(shù)可以達到400，介電強度相對高。這種介質非常適用于高頻（特別是工業(yè)高頻感應加熱的高頻功率振蕩、高頻無線發(fā)射等應用的高頻功率電容器）、超高頻和對電容量、穩(wěn)定性有嚴格要求定時、振蕩電路的工作環(huán)境，這種介質電容器wei一的缺點是電容量不能做得很大（由于介電系數(shù)相對?。ǔ?206表面貼裝C0G介質電容器的電容量從μF。Ⅱ類陶瓷電容器Ⅱ類的穩(wěn)定級陶瓷介質材料如美國電工協(xié)會（EIA）標準的X7R、X5R以及我國標準的CT系列等型號的陶瓷介質（溫度系數(shù)為±），這種介質的介電系數(shù)隨溫度變化較大，不適用于定時、振蕩等對溫度系數(shù)要求高的場合，但由于其介電系數(shù)可以做得很大（可以達到1200），因而電容量可以做得比較大，適用于對工作環(huán)境溫度要求較高（X7R：-55~+125℃）的耦合、旁路和濾波。通常1206的SMD封裝的電容量可以達到10μF或在再高一些；II類的可用級陶瓷介質材料如美國電工協(xié)會。天津陶瓷電容器品質保障

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