高壓瓷器電容器,即應(yīng)用在供電系統(tǒng)中的高壓陶瓷電容器,一般如供電系統(tǒng)的計(jì)量檢定,儲能技術(shù),分壓電路等商品中,都是會采用高壓陶瓷電容器。高壓陶瓷電容在LED燈領(lǐng)域現(xiàn)有普遍的運(yùn)用和很重的影響力,高壓陶瓷電容是用高相對介電常數(shù)的電容器瓷器(鈦酸鋇一氧化硅)擠壓成型成圓鋼管、圓片或園盤做為物質(zhì),并且用燒滲法將銀鍍在瓷器上做為電級做成。中文名字高壓陶瓷電容優(yōu)點(diǎn)具高可靠性差別不用驗(yàn)證應(yīng)用LED燈領(lǐng)域文件目錄1基礎(chǔ)詳細(xì)介紹2企業(yè)及標(biāo)記3功效4優(yōu)勢與區(qū)別?優(yōu)勢?區(qū)別5特性規(guī)定6自手術(shù)恢復(fù)期7特性8測試標(biāo)準(zhǔn)9應(yīng)用常見問題高壓陶瓷電容基礎(chǔ)詳細(xì)介紹編寫高壓陶瓷電容器,即應(yīng)用在供電系統(tǒng)中的高壓陶瓷電容器,一般如供電系統(tǒng)的計(jì)量檢定,儲能技術(shù),分壓電路等商品中,都是會采用高壓陶瓷電容器。高壓陶瓷電容在LED燈領(lǐng)域現(xiàn)有普遍的運(yùn)用和很重的影響力,高壓陶瓷電容是用高相對介電常數(shù)的電容器瓷器〈鈦酸鋇一氧化硅〉擠壓成型成圓鋼管、圓片或園盤做為物質(zhì),并且用燒滲法將銀鍍在瓷器上做為電級做成。高壓陶瓷電容企業(yè)及標(biāo)記編寫·電容的基本要素是:F(法),除此之外也有μF(微法)、pF(皮法),此外還有一個用的較為少的企業(yè),那便是:nF,因?yàn)殡娙軫的容積十分大。海視達(dá)電子科技陶瓷電容器產(chǎn)品,給您不一樣的體驗(yàn)!杭州陶瓷電容器廠家
第三位字母R為隨溫度變化的容值偏差±15%;Y5V表示為:第yi位Y為比較低工作溫度-30℃,第二位的數(shù)字5位比較高工作溫度+85℃,第三位字母V為隨溫度變化的容值偏差+22%,-82%±15%。Z5U表示為:第yi位Z為比較低工作溫度+10℃,第二位的數(shù)字5位比較高工作溫度+85℃,第三位字母U為隨溫度變化的容值偏差+22%,-56%,陶瓷電容器的阻抗頻率特性第yi類介質(zhì)的陶瓷電容器的ESR隨頻率而上升,如圖陶瓷電容器的ESR頻率特性第yi類介質(zhì)的陶瓷電容器阻抗頻率特性第二類陶瓷電容器的阻抗頻率特性陶瓷電容器的損耗因數(shù)與頻率的關(guān)系陶瓷電容器的阻抗頻率特性陶瓷電容器的絕緣電阻與溫度的關(guān)系損耗因數(shù)與溫度的關(guān)系電容量與直流偏置電壓的關(guān)系第yi類介質(zhì)電容器的電容量與直流偏置電壓無關(guān)。第二類介質(zhì)電容器的電容量隨直流偏置電壓變化,如圖。Y5V介質(zhì)電容器的電容量隨直流偏置電壓變化非常大,從無偏置時的全部電容量下降到額定電壓下的直流偏置電壓時得不到額定電容量的25%,也就是說10μF的電容量在額定電壓時*為不到μF!在高溫時由于電容量已經(jīng)下降到很低,所以這時的電容量隨直流偏置電壓的變化不大。X7R介質(zhì)電容器的電容量隨直流偏置電壓變化雖比較大,但是比Y5V好得多。大連國內(nèi)陶瓷電容器哪家陶瓷電容器的是口碑推薦?
3.高溫條件下陶瓷電容器擊穿機(jī)理半密封陶瓷電容器在高濕度環(huán)境條件下工作時,發(fā)生擊穿失效是比較普遍的嚴(yán)重問題。所發(fā)生的擊穿現(xiàn)象大約可以分為介質(zhì)擊穿和表面極間飛弧擊穿兩類。介質(zhì)擊穿按發(fā)生時間的早晚又可分為早期擊穿與老化擊穿兩種,早期擊穿暴露了電容介質(zhì)材料與生產(chǎn)工藝方面存在的缺陷,這些缺陷導(dǎo)致陶瓷介質(zhì)介電強(qiáng)度xian著降低,以至于在高濕度環(huán)境的電場作用下,電容器在耐壓試驗(yàn)過程中或工作初期,就產(chǎn)生電擊穿。老化擊穿大多屬于電化學(xué)擊穿范疇。由于陶瓷電容器銀的遷移,陶瓷電容器的電解老化擊穿已成為相當(dāng)普遍的問題。銀遷移形成的導(dǎo)電樹枝狀物,使漏電流局部增大,可引起熱擊穿,使電容器斷裂或燒毀。熱擊穿現(xiàn)象多發(fā)生在管形或圓片形的小型瓷介質(zhì)電容器中,因?yàn)閾舸r局部發(fā)熱嚴(yán)重,較薄的管壁或較小的瓷體容易燒毀或斷裂。此外,以二氧化鈦為主的陶瓷介質(zhì)中,負(fù)荷條件下還可能產(chǎn)生二氧化鈦的還原反應(yīng),使鈦離子由四價變?yōu)槿齼r。陶瓷介質(zhì)的老化xian著降低了電容器的介電強(qiáng)度,可能引起電容器擊穿。因此,這種陶瓷電容器的電解擊穿現(xiàn)象比不含二氧化鈦的陶瓷介質(zhì)電容器更加嚴(yán)重。銀離子遷移使電容器極間邊緣電場發(fā)生嚴(yán)重畸變。
將鉭電解電容器換成片狀多層陶瓷電容器,這樣做的理由主要有兩個。第yi是可靠性問題。鉭電解電容器存在發(fā)生短路故障時導(dǎo)致冒煙和起火的可能性。出現(xiàn)冒煙和起火現(xiàn)象時,對于配備鉭電解電容器的電子產(chǎn)品而言是致命的。另一個是原材料鉭的問題。鉭屬于稀有金屬,其產(chǎn)地在全世界屈指可數(shù)。因此,如果產(chǎn)地出現(xiàn)證zhi動蕩等,就會陷入價格暴漲、供給不穩(wěn)定的局面。只要原材料是稀有金屬,鉭電解電容器用戶就不可能完全避免此類風(fēng)險。而解決這些問題的對策就是用片狀多層陶瓷電容器來取代鉭電解電容器。片狀多層陶瓷電容器發(fā)生冒煙和起火的可能性要遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于鉭電解電容器。另外由于不使用稀有金屬,價格和供給都更加穩(wěn)定。而且還有一些鉭電解電容器所不具備的優(yōu)點(diǎn)。其優(yōu)點(diǎn)主要有兩個。一是能削減貼裝面積。因?yàn)槠瑺疃鄬犹沾呻娙萜鲉挝惑w積的靜電容量較大。另一個是用于DC-DC轉(zhuǎn)換器等輸出平滑電路時,可降低輸出紋波電壓。原因在于片狀多層陶瓷電容器的等效串聯(lián)電阻(ESR:EquivalentSeriesResistance)較低。如圖1所示,使用鉭電解電容器時,輸出紋波電壓為56mV,而使用片狀多層陶瓷電容器時則降到了7mV。?用于輸出平滑用途時需要注意不過。哪家陶瓷電容器的的質(zhì)量比較好。
高壓瓷片電容器有幾百伏的,有幾千伏的,一般在容值下面標(biāo)出XXKV。電容的容量標(biāo)識的幾種方法:一、直接標(biāo)識:如其電解電容,容量47uf,電容耐壓25v。二、使用單位nf:如上圖的滌綸電容,標(biāo)稱4n7,即,轉(zhuǎn)換為pf即為4700pf。還有的例如:10n,即,即。后面的63是指電容耐壓63v。三、數(shù)學(xué)計(jì)數(shù)法:如瓷介電容,標(biāo)值104,容量就是:10X10000pf=,即為47X1000pf=。(后面的4、3,都表示10的多少次方)。又如:332=33X100pf=3300pf。電容的使用,都應(yīng)該在指定的耐壓下工作?,F(xiàn)在的好多質(zhì)量不高的產(chǎn)品,就因?yàn)槭褂昧四蛪翰蛔愕碾娙荻鸸收希ǔR婋娙荼眩?。電容識別:1、電容在電路中一般用“C”加數(shù)字表示(如C13表示編號為13的電容)。電容是由兩片金屬膜緊靠,中間用絕緣材料隔開而組成的元件。電容的特性主要是隔直流通交流。電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小,電容對交流信號的阻礙作用稱為容抗,它與交流信號的頻率和電容量有關(guān)。容抗XC=1/2πfc(f表示交流信號的頻率,C表示電容容量)電話機(jī)中常用電容的種類有電解電容、瓷片電容、貼片電容、獨(dú)石電容、鉭電容和滌綸電容等。2、電容識別方法:電容的識別方法與電阻的識別方法基本相同?,F(xiàn)貨供應(yīng)HM安規(guī)陶瓷電容器。洛陽高壓取能陶瓷電容器陶瓷電容器
陶瓷電容器的的發(fā)展趨勢。杭州陶瓷電容器廠家
EIA也有針對電容的溫度系數(shù)有三個字的識別碼。對于不是Class 1的非溫度補(bǔ)償型電容,第yi個字對應(yīng)工作溫度的下限,第二個字為數(shù)字,對應(yīng)工作溫度的上限,第三個字對應(yīng)在上述溫度范圍內(nèi)的電容值變動:字母(低溫)數(shù)字(高溫)字母(容值變動)X= ?55 °C (?67 °F)2= +45 °C (+113 °F)D= ±3.3%Y= ?30 °C (?22 °F)4= +65 °C (+149 °F)E= ±4.7%Z= +10 °C (+50 °F)5= +85 °C (+185 °F)F= ±7.5%6=+105 °C (+221 °F)P= ±10%7=+125 °C (+257 °F)R= ±15%8=+150 °C (+302 °F)S= ±22%T= +22 to ?33%U= +22 to ?56%V= +22 to ?82%一個標(biāo)示Z5U的電容,其工作溫度為+10°C至+85°C,容值變動范圍在+22%至?56%之間。標(biāo)示X7R的電容,其工作溫度為-55°C至+125°C,容值變動范圍在±15%之間。杭州陶瓷電容器廠家
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