TO封裝硅電容具有獨(dú)特的特性和卓著的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。TO封裝是一種常見(jiàn)的電子元件封裝形式，TO封裝硅電容采用這種封裝方式，具有良好的密封性和穩(wěn)定性...
相控陣硅電容在雷達(dá)系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)了精確控制。相控陣?yán)走_(dá)通過(guò)控制天線陣列中各個(gè)輻射單元的相位和幅度，實(shí)現(xiàn)波束的快速掃描和精確指向。相控陣硅電容在相...
QRNG密鑰的生成與管理是保障信息安全的重要環(huán)節(jié)。利用QRNG生成密鑰具有天然的優(yōu)勢(shì)，因?yàn)镼RNG產(chǎn)生的隨機(jī)數(shù)具有真正的隨機(jī)性，使得密鑰具有...
在電源濾波中，高Q值電容具有重要的應(yīng)用和卓著的優(yōu)勢(shì)。電源中往往存在各種噪聲和紋波，這些干擾會(huì)影響電子設(shè)備的正常運(yùn)行。高Q值電容可以作為濾波元...
蘇州凌存科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)凌存科技）成立于2021年12月，坐落于美麗的陽(yáng)澄湖畔。公司是基于電壓控制磁性技術(shù)開(kāi)發(fā)不同品類(lèi)產(chǎn)品的高科技初創(chuàng)公司，并在該領(lǐng)域處于先進(jìn)的地位。凌存科技取得技術(shù)原始、核心專(zhuān)利授權(quán)20項(xiàng)，涵蓋材料、器件、工藝與電路等全套技術(shù)。此外，公司已申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利15項(xiàng)。目前，凌存科技已經(jīng)完成涵蓋8英寸和12英寸多種技術(shù)節(jié)點(diǎn)的流片，性能指標(biāo)處于先進(jìn)地位。 公司擁有一支國(guó)際化團(tuán)隊(duì)，成員來(lái)自中國(guó)大陸，美國(guó)，中國(guó)臺(tái)灣，日本等地。公司研發(fā)人員占比超70%。凌存科技將助力我國(guó)突破“卡脖子”技術(shù)，旨在開(kāi)發(fā)出世界上高速度、高容量、低成本和低功耗的第三代磁存儲(chǔ)芯片---電壓控制磁存儲(chǔ)器(MeRAM)芯片，磁性真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器芯片。
