由于門(mén)極的測(cè)量電壓太低(VGE=0V )而不是門(mén)極的門(mén)檻電壓,在實(shí)際開(kāi)關(guān)中存在的米勒效應(yīng)(Miller 效應(yīng))在測(cè)量中也沒(méi)有被包括在內(nèi),在實(shí)際使用中的門(mén)極電容Cin值要比IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies 值大很多。因此,在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies值在實(shí)際應(yīng)用中**只能作為一個(gè)參考值使用。確定IGBT 的門(mén)極電荷對(duì)于設(shè)計(jì)一個(gè)驅(qū)動(dòng)器來(lái)說(shuō),**重要的參數(shù)是門(mén)極電荷QG(門(mén)極電壓差時(shí)的IGBT 門(mén)極總電荷),如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中能夠找到這個(gè)參數(shù),那么我們就可以運(yùn)用公式計(jì)算出:門(mén)極驅(qū)動(dòng)能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]驅(qū)動(dòng)電路的主要作用是將控制電路產(chǎn)生的微弱信號(hào)放大,以驅(qū)動(dòng)功率開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)斷。普陀區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路生產(chǎn)企業(yè)
驅(qū)動(dòng),計(jì)算機(jī)軟件術(shù)語(yǔ),是指驅(qū)使計(jì)算機(jī)里硬件動(dòng)作的軟件程序。驅(qū)動(dòng)程序全稱(chēng)設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序,是添加到操作系統(tǒng)中的特殊程序,其中包含有關(guān)硬件設(shè)備的信息。此信息能夠使計(jì)算機(jī)與相應(yīng)的設(shè)備進(jìn)行通信。驅(qū)動(dòng)程序是硬件廠(chǎng)商根據(jù)操作系統(tǒng)編寫(xiě)的配置文件,可以說(shuō)沒(méi)有驅(qū)動(dòng)程序,計(jì)算機(jī)中的硬件就無(wú)法工作。驅(qū)動(dòng)程序全稱(chēng)設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序,是添加到操作系統(tǒng)中的特殊程序,其中包含有關(guān)硬件設(shè)備的信息。此信息能夠使計(jì)算機(jī)與相應(yīng)的設(shè)備進(jìn)行通信。驅(qū)動(dòng)程序是硬件廠(chǎng)商根據(jù)操作系統(tǒng)編寫(xiě)的配置文件,可以說(shuō)沒(méi)有驅(qū)動(dòng)程序,計(jì)算機(jī)中的硬件就無(wú)法工作。操作系統(tǒng)不同,硬件的驅(qū)動(dòng)程序也不同,各個(gè)硬件廠(chǎng)商為了保證硬件的兼容性及增強(qiáng)硬件的功能會(huì)不斷地升級(jí)驅(qū)動(dòng)程序。閔行區(qū)本地驅(qū)動(dòng)電路專(zhuān)賣(mài)店驅(qū)動(dòng)集成芯片:在數(shù)字電源中應(yīng)用,許多驅(qū)動(dòng)芯片自帶保護(hù)和隔離功能。
IGBT 的開(kāi)關(guān)特性主要取決于IGBT的門(mén)極電荷及內(nèi)部和外部的電阻。圖1是IGBT 門(mén)極電容分布示意圖,其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容、CCE 是集電極-發(fā)射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱(chēng)米勒電容(Miller Capacitor)。門(mén)極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來(lái)表示,它是計(jì)算IGBT 驅(qū)動(dòng)器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響,但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies 的值,在實(shí)際電路應(yīng)用中不是一個(gè)特別有用的參數(shù),因?yàn)樗峭ㄟ^(guò)電橋測(cè)得的,在測(cè)量電路中,加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠(chǎng)家為10V),在這種測(cè)量條件下,所測(cè)得的結(jié)電容要比VCE=600V 時(shí)要大一些(如圖2)。
(3)沖擊電流問(wèn)題。由于可控硅前沿?cái)夭ㄊ沟幂斎腚妷嚎赡芤恢碧幱诜逯蹈浇斎霝V波電容將承受大的沖擊電流,同時(shí)還可能使得可控硅意外截止,導(dǎo)致可控硅不斷重啟,所以一般需要在驅(qū)動(dòng)器輸入端串接電阻來(lái)減小沖擊。(4)導(dǎo)通角較小時(shí)LED會(huì)出現(xiàn)閃爍。當(dāng)可控硅導(dǎo)通角較小時(shí),由于此時(shí)輸入電壓和電流均較小,導(dǎo)致維持電流不夠或者芯片供電Vcc不夠,電路停止工作,使LED產(chǎn)生閃爍??煽仉娫淳€(xiàn)性調(diào)光存在的問(wèn)題,即人眼在低亮度情況下對(duì)光線(xiàn)的細(xì)微變化很敏感;而在較亮?xí)r,由于人眼視覺(jué)的飽和,光線(xiàn)較大的變化卻不易被察覺(jué)。并提出了利用單片機(jī)編程來(lái)實(shí)現(xiàn)調(diào)光信號(hào)和調(diào)光輸出的非線(xiàn)性關(guān)系(如指數(shù)、平方等關(guān)系)的方法,使得人眼感覺(jué)的調(diào)光是一個(gè)線(xiàn)性平穩(wěn)過(guò)程。隔離驅(qū)動(dòng):電路包含隔離器件,常用的有光耦驅(qū)動(dòng)、變壓器驅(qū)動(dòng)以及隔離電容驅(qū)動(dòng)等。
調(diào)光原理市面上大多數(shù)可控硅調(diào)光器基本結(jié)構(gòu)如圖1所示,其工作原理如下:當(dāng)交流電壓加雙向可控硅TRIAC兩端時(shí),由于Rt、Ct組成的RC充電電路有一個(gè)充電時(shí)間,電容上的電壓是從0V開(kāi)始充電的,并且TRIAC的驅(qū)動(dòng)極串聯(lián)有一個(gè)DIAC(雙向觸發(fā)二極管,一般是30V左右),因此TRIAC可靠截止。當(dāng)Ct上的電壓上升到30V時(shí),DIAC觸發(fā)導(dǎo)通,TRIAC可靠導(dǎo)通,此時(shí)TRIAC兩端的電壓瞬間變?yōu)榱?,Ct通過(guò)Rt迅速放電,當(dāng)Ct電壓跌落到30V以下時(shí),DIAC截止,如果TRIAC通過(guò)的電流大于其維持電流則繼續(xù)導(dǎo)通,如果低于其維持電流將會(huì)截止。電感L和電容C的作用是減小電流和電壓的變化率,以抑制電磁干擾EMI問(wèn)題。它們通常用于控制電機(jī)、繼電器、LED、顯示器等負(fù)載。黃浦區(qū)好的驅(qū)動(dòng)電路量大從優(yōu)
根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景和需求,還有推挽驅(qū)動(dòng)、隔離驅(qū)動(dòng)、加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)等多種設(shè)計(jì)方案。普陀區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路生產(chǎn)企業(yè)
IGBT驅(qū)動(dòng):IGBT常被用于中大功率數(shù)字電源開(kāi)發(fā),其驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-15~15V。IGBT驅(qū)動(dòng)電路分為正壓驅(qū)動(dòng)和負(fù)壓驅(qū)動(dòng),負(fù)壓關(guān)斷可以避免誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn),加快關(guān)斷速度,減小關(guān)斷損耗。IGBT的驅(qū)動(dòng)電路一般采用**的驅(qū)動(dòng)芯片,如東芝的TLP系列、富士公司的EXB系列、英飛凌的EiceDRIVER系列等。五、驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用顯示控制:驅(qū)動(dòng)電路可以將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào),以控制液晶顯示屏、LED顯示屏等顯示設(shè)備;也可以將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),以控制數(shù)碼管等顯示設(shè)備。普陀區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路生產(chǎn)企業(yè)
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