致晟光電作為蘇州本土的光電檢測(cè)設(shè)備研發(fā)制造企業(yè)，其本地化服務(wù)目前以國(guó)內(nèi)市場(chǎng)為主要覆蓋區(qū)域 。尤其在華東地區(qū)，依托總部蘇州的地理優(yōu)勢(shì)，對(duì)上海、江蘇、浙江等周邊省市實(shí)現(xiàn)高效服務(wù)。無論是設(shè)備的安裝調(diào)試，還是售后的故障維修、技術(shù)咨詢，都能在短時(shí)間內(nèi)響應(yīng)，例如在蘇州本地，接到客戶需求后，普遍可在數(shù)小時(shí)內(nèi)安排技術(shù)人員上門服務(wù)。在全國(guó)范圍內(nèi)，致晟光電已通過建立銷售服務(wù)網(wǎng)點(diǎn)、與當(dāng)?shù)亟?jīng)銷商合作等方式，保障本地化服務(wù)的覆蓋。
半導(dǎo)體失效分析中，微光顯微鏡可偵測(cè)失效器件光子，定位如 P-N 接面漏電等故障點(diǎn)，助力改進(jìn)工藝、提升質(zhì)量。顯微微光顯微鏡品牌

致晟光電將熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI）與微光顯微鏡 (EMMI) 集成的設(shè)備，在維護(hù)成本控制上展現(xiàn)出優(yōu)勢(shì)。對(duì)于分開的兩臺(tái)設(shè)備，企業(yè)需配備專門人員分別學(xué)習(xí)兩套系統(tǒng)的維護(hù)知識(shí)，培訓(xùn)內(nèi)容涵蓋不同的機(jī)械結(jié)構(gòu)、光學(xué)原理、軟件操作，還包括各自的故障診斷邏輯與校準(zhǔn)流程，往往需要數(shù)月的系統(tǒng)培訓(xùn)才能確保人員熟練操作，期間產(chǎn)生的培訓(xùn)費(fèi)用、時(shí)間成本居高不下。而使用一套集成設(shè)備只需一套維護(hù)體系，維護(hù)人員只需掌握一套系統(tǒng)的維護(hù)邏輯與操作規(guī)范，無需在兩套差異化的設(shè)備間切換學(xué)習(xí)，培訓(xùn)周期可縮短近一半，大幅降低了培訓(xùn)方面的人力與資金投入。
國(guó)內(nèi)微光顯微鏡設(shè)備制造微光顯微鏡可搭配偏振光附件，分析樣品的偏振特性，為判斷晶體缺陷方向提供獨(dú)特依據(jù)，豐富檢測(cè)維度。

微光顯微鏡下可以產(chǎn)生亮點(diǎn)的缺陷，

如：1.漏電結(jié)(JunctionLeakage);2.接觸毛刺(Contactspiking);3.熱電子效應(yīng)(Hotelectrons);4.閂鎖效應(yīng)(Latch-Up);5.氧化層漏電(Gateoxidedefects/Leakage(F-Ncurrent));6.多晶硅晶須(Poly-siliconfilaments);7.襯底損傷(Substratedamage);8.物理?yè)p傷(Mechanicaldamage)等。

當(dāng)然，部分情況下也會(huì)出現(xiàn)樣品本身的亮點(diǎn)，

如：1.Saturated/Activebipolartransistors;2.SaturatedMOS/DynamicCMOS;3.Forwardbiaseddiodes/Reverse；等

出現(xiàn)亮點(diǎn)時(shí)應(yīng)注意區(qū)分是否為這些情況下產(chǎn)生的亮點(diǎn)另外也會(huì)出現(xiàn)偵測(cè)不到亮點(diǎn)的情況，

如：1.歐姆接觸；2.金屬互聯(lián)短路；3.表面反型層；4.硅導(dǎo)電通路等。

若一些亮點(diǎn)被遮蔽的情況，即為BuriedJunctions及Leakagesitesundermetal，這種情況可以嘗試采用backside模式，但是只能探測(cè)近紅外波段的發(fā)光，且需要減薄及拋光處理。

微光顯微鏡無法檢測(cè)不產(chǎn)生光子的失效（如歐姆接觸、金屬短路），且易受強(qiáng)光環(huán)境干擾；熱紅外顯微鏡則難以識(shí)別無明顯溫度變化的失效（如輕微漏電但功耗極低的缺陷），且溫度信號(hào)可能受環(huán)境熱傳導(dǎo)影響。

實(shí)際分析中，二者常結(jié)合使用，通過 “光 - 熱” 信號(hào)交叉驗(yàn)證，提升失效定位的準(zhǔn)確性。致晟光電在技術(shù)創(chuàng)新的征程中，實(shí)現(xiàn)了一項(xiàng)突破性成果 —— 將熱紅外顯微鏡與微光顯微鏡集可以集成于一臺(tái)設(shè)備，只需一次采購(gòu)，便可以節(jié)省了重復(fù)的硬件投入。 當(dāng)二極管處于正向偏置或反向擊穿狀態(tài)時(shí)，會(huì)有強(qiáng)烈的光子發(fā)射，形成明顯亮點(diǎn)。

OBIRCH與EMMI技術(shù)在集成電路失效分析領(lǐng)域中扮演著互補(bǔ)的角色，其主要差異體現(xiàn)在檢測(cè)原理及應(yīng)用領(lǐng)域。具體而言，EMMI技術(shù)通過光子檢測(cè)手段來精確定位漏電或發(fā)光故障點(diǎn)，而OBIRCH技術(shù)則依賴于激光誘導(dǎo)電阻變化來識(shí)別短路或阻值異常區(qū)域。這兩種技術(shù)通常被整合于同一檢測(cè)系統(tǒng)（即PEM系統(tǒng)）中，其中EMMI技術(shù)在探測(cè)光子發(fā)射類缺陷，如漏電流方面表現(xiàn)出色，而OBIRCH技術(shù)則對(duì)金屬層遮蔽下的短路現(xiàn)象具有更高的敏感度。例如，EMMI技術(shù)能夠有效檢測(cè)未開封芯片中的失效點(diǎn)，而OBIRCH技術(shù)則能有效解決低阻抗（<10 ohm）短路問題。國(guó)外微光顯微鏡價(jià)格高昂，常達(dá)上千萬元，我司國(guó)產(chǎn)設(shè)備工藝完備，技術(shù)成熟，平替性價(jià)比高。制造微光顯微鏡設(shè)備

在航空航天芯片檢測(cè)中，它可定位因輻射導(dǎo)致的芯片損傷，為航天器電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行保駕護(hù)航。顯微微光顯微鏡品牌

漏電是芯片另一種常見的失效模式，其誘因復(fù)雜多樣，既可能源于晶體管長(zhǎng)期工作后的老化衰減，也可能由氧化層存在裂紋等缺陷引發(fā)。

與短路類似，芯片內(nèi)部發(fā)生漏電時(shí)，漏電路徑中會(huì)伴隨微弱的光發(fā)射現(xiàn)象——這種光信號(hào)的強(qiáng)度往往遠(yuǎn)低于短路產(chǎn)生的光輻射，對(duì)檢測(cè)設(shè)備的靈敏度提出了極高要求。EMMI憑借其的微光探測(cè)能力，能夠捕捉到漏電產(chǎn)生的極微弱光信號(hào)。通過對(duì)芯片進(jìn)行全域掃描，可將漏電區(qū)域以可視化圖像的形式清晰呈現(xiàn)，使工程師能直觀識(shí)別漏電位置與分布特征。

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