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實(shí)時(shí)成像鎖相紅外熱成像系統(tǒng)原理

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-31

先進(jìn)的封裝應(yīng)用、復(fù)雜的互連方案和更高性能的功率器件的快速增長(zhǎng)給故障定位和分析帶來(lái)了前所未有的挑戰(zhàn)。有缺陷或性能不佳的半導(dǎo)體器件通常表現(xiàn)出局部功率損耗的異常分布,導(dǎo)致局部溫度升高。RTTLIT系統(tǒng)利用鎖相紅外熱成像進(jìn)行半導(dǎo)體器件故障定位,可以準(zhǔn)確有效地定位這些目標(biāo)區(qū)域。LIT是一種動(dòng)態(tài)紅外熱成像形式,與穩(wěn)態(tài)熱成像相比,其可提供更好的信噪比、更高的靈敏度和更高的特征分辨率。LIT可在IC半導(dǎo)體失效分析中用于定位線路短路、ESD缺陷、氧化損壞、缺陷晶體管和二極管以及器件閂鎖。LIT可在自然環(huán)境中進(jìn)行,無(wú)需光屏蔽箱。紅外熱像儀捕獲這些溫度變化,通過鎖相技術(shù)提取微弱的有用信號(hào),提高檢測(cè)靈敏度。實(shí)時(shí)成像鎖相紅外熱成像系統(tǒng)原理

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鎖相頻率越高,得到的空間分辨率則越高。然而,對(duì)于鎖相紅外熱成像系統(tǒng)來(lái)說,較高的頻率往往會(huì)降低待檢測(cè)的熱發(fā)射。這是許多 LIT系統(tǒng)的限制。RTTLIT系統(tǒng)通過提供一個(gè)獨(dú)特的系統(tǒng)架構(gòu)克服了這一限制,在該架構(gòu)中,可以在"無(wú)限"的時(shí)間內(nèi)累積更高頻率的 LIT 數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)采集持續(xù)延長(zhǎng),數(shù)據(jù)分辨率提高。系統(tǒng)采集數(shù)據(jù)的時(shí)間越長(zhǎng),靈敏度越高。當(dāng)試圖以極低的功率級(jí)采集數(shù)據(jù)或必須從弱故障模式中采集數(shù)據(jù)時(shí),鎖相紅外熱成像RTTLIT系統(tǒng)的這一特點(diǎn)尤其有價(jià)值。Thermal EMMI鎖相紅外熱成像系統(tǒng)原理鎖相熱成像系統(tǒng)解析電激勵(lì)產(chǎn)生的溫度場(chǎng)信息。

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鎖相熱成像系統(tǒng)的電激勵(lì)方式在電子產(chǎn)業(yè)的 LED 芯片檢測(cè)中扮演著不可或缺的角色,為 LED 產(chǎn)品的質(zhì)量提升提供了重要支持。LED 芯片是 pn 結(jié),pn 結(jié)的質(zhì)量直接決定了 LED 的發(fā)光效率、壽命和可靠性。如果 pn 結(jié)存在缺陷,如晶格失配、雜質(zhì)污染等,會(huì)導(dǎo)致芯片的電光轉(zhuǎn)換效率下降,發(fā)熱增加,嚴(yán)重影響 LED 的性能。通過對(duì) LED 芯片施加電激勵(lì),使芯片處于工作狀態(tài),缺陷處的電流分布和熱分布會(huì)出現(xiàn)異常,導(dǎo)致局部溫度升高。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠精確檢測(cè)到這些溫度差異,并通過圖像處理技術(shù),清晰顯示出 pn 結(jié)缺陷的位置和形態(tài)。

制造商可以根據(jù)檢測(cè)結(jié)果,篩選出良好的 LED 芯片,剔除不合格產(chǎn)品,從而提升 LED 燈具、顯示屏等產(chǎn)品的質(zhì)量和使用壽命。例如,在 LED 顯示屏的生產(chǎn)過程中,利用該系統(tǒng)對(duì) LED 芯片進(jìn)行檢測(cè),可使產(chǎn)品的不良率降低 30% 以上,推動(dòng)了電子產(chǎn)業(yè)中 LED 領(lǐng)域的發(fā)展。

熱紅外顯微鏡是半導(dǎo)體失效分析與缺陷定位的三大主流手段之一(EMMI、THERMAL、OBIRCH),通過捕捉故障點(diǎn)產(chǎn)生的異常熱輻射,實(shí)現(xiàn)精細(xì)定位。存在缺陷或性能退化的器件通常表現(xiàn)為局部功耗異常,導(dǎo)致微區(qū)溫度升高。顯微熱分布測(cè)試系統(tǒng)結(jié)合熱點(diǎn)鎖定技術(shù),能夠高效識(shí)別這些區(qū)域。熱點(diǎn)鎖定是一種動(dòng)態(tài)紅外熱成像方法,通過調(diào)節(jié)電壓提升分辨率與靈敏度,并借助算法優(yōu)化信噪比。在集成電路(IC)分析中,該技術(shù)廣泛應(yīng)用于定位短路、ESD損傷、缺陷晶體管、二極管失效及閂鎖問題等關(guān)鍵故障。鎖相熱紅外電激勵(lì)成像主動(dòng)加熱,適用于定量和深層缺陷檢測(cè),被動(dòng)式檢測(cè)物體自身溫度變化,用于定性檢測(cè)。

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鎖相熱成像系統(tǒng)借助電激勵(lì)在電子產(chǎn)業(yè)的微型電子元件檢測(cè)中展現(xiàn)出極高的靈敏度,滿足了電子產(chǎn)業(yè)向微型化、高精度發(fā)展的需求。隨著電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,電子元件正朝著微型化方向快速發(fā)展,如微型傳感器、微型繼電器等,其尺寸通常在毫米甚至微米級(jí)別,缺陷也更加細(xì)微,傳統(tǒng)的檢測(cè)方法難以應(yīng)對(duì)。電激勵(lì)能夠在微型元件內(nèi)部產(chǎn)生微小但可探測(cè)的溫度變化,即使是納米級(jí)的缺陷也能引起局部溫度的細(xì)微波動(dòng)。鎖相熱成像系統(tǒng)結(jié)合先進(jìn)的鎖相技術(shù),能夠從強(qiáng)大的背景噪聲中提取出與電激勵(lì)同頻的溫度信號(hào),將微小的溫度變化放大并清晰顯示出來(lái),從而檢測(cè)出微米級(jí)的缺陷。例如,在檢測(cè)微型加速度傳感器的敏感元件時(shí),系統(tǒng)能夠發(fā)現(xiàn)因制造誤差導(dǎo)致的微小結(jié)構(gòu)變形,這些變形會(huì)影響傳感器的測(cè)量精度。這一技術(shù)的應(yīng)用,為微型電子元件的質(zhì)量檢測(cè)提供了有力支持,推動(dòng)了電子產(chǎn)業(yè)向微型化、高精度方向不斷發(fā)展。電激勵(lì)與鎖相熱成像系統(tǒng),推動(dòng)無(wú)損檢測(cè)發(fā)展。低溫?zé)徭i相紅外熱成像系統(tǒng)哪家好

鎖相熱成像系統(tǒng)借電激勵(lì),捕捉細(xì)微溫度變化辨故障。實(shí)時(shí)成像鎖相紅外熱成像系統(tǒng)原理

從技術(shù)原理來(lái)看,該設(shè)備構(gòu)建了一套完整的 “熱信號(hào)捕捉 - 解析 - 成像” 體系。其搭載的高性能探測(cè)器(如 RTTLIT P20 采用的 100Hz 高頻深制冷型紅外探測(cè)器)能敏銳捕捉中波紅外波段的熱輻射,配合 InGaAs 微光顯微鏡模塊,可同時(shí)實(shí)現(xiàn)熱信號(hào)與光子發(fā)射的同步觀測(cè)。在檢測(cè)過程中,設(shè)備先通過熱紅外顯微鏡快速鎖定可疑區(qū)域,再啟動(dòng) RTTLIT 系統(tǒng)的鎖相功能:施加周期性電信號(hào)激勵(lì)后,缺陷會(huì)產(chǎn)生與激勵(lì)頻率同步的微弱熱響應(yīng),鎖相模塊過濾掉環(huán)境噪聲,將原本被掩蓋的熱信號(hào)放大并成像。這種 “先定位、再聚焦” 的模式,既保證了檢測(cè)效率,又突破了傳統(tǒng)設(shè)備對(duì)微弱信號(hào)的檢測(cè)極限。實(shí)時(shí)成像鎖相紅外熱成像系統(tǒng)原理